一、182單晶硅片和166單晶硅片的區(qū)別是？

是太陽(yáng)能電池尺寸的區(qū)別。目前主流電池的尺寸是166m(166mm*166mm)，還有正在興起的大尺寸電池片，大尺寸分為182mm(182mm*182mm)兩個(gè)陣營(yíng)。

光伏電池片尺寸越大，功率越高。但是大尺寸也帶來載荷、熱斑、大電流散熱和線損等風(fēng)險(xiǎn)，還有搬運(yùn)、安裝和運(yùn)輸?shù)睦щy。大尺寸有利有弊，不是越大越好，要找到一個(gè)最佳尺寸。

二、單晶硅片使用年限？

單晶太陽(yáng)能板是由若干個(gè)單晶硅太陽(yáng)能電池片按一定方式組裝在一塊板上的組裝件。單晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率為15%左右，最高的達(dá)到24%，這是目前所有種類的太陽(yáng)能電池中光電轉(zhuǎn)換效率最高的，但制作成本很大，以致于它還不能被大量廣泛和普遍地使用。

由于單晶硅一般采用鋼化玻璃以及防水樹脂進(jìn)行封裝，因此其堅(jiān)固耐用，使用壽命一般可達(dá)15年，最高可達(dá)25年。

三、單晶硅片的用途？

單晶硅一般常用于半導(dǎo)體材料，主要用于太陽(yáng)能電池。

單晶硅指的是硅原子的一種排列形式形成的物質(zhì)，也是一種比較活潑的非金屬元素晶體，屬于晶體材料的重要組成部分。單晶硅主要用于生產(chǎn)和深加工制造電路級(jí)、整流器件級(jí)、二極管級(jí)以及太陽(yáng)能電池級(jí)單晶產(chǎn)品，其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，在軍事電子設(shè)備中也占有重要的地位。

應(yīng)用最早的是硅太陽(yáng)能電池，其轉(zhuǎn)換效率高，技術(shù)最為成熟，多用于光照時(shí)間少、光照強(qiáng)度小、勞動(dòng)力成本高的區(qū)域，如航空航天領(lǐng)域等。通過采用不同的硅片加工及電池處理技術(shù)，國(guó)內(nèi)外各科研機(jī)構(gòu)和電池廠家都生產(chǎn)制備出了較高效率的單晶硅電池。

四、如何判斷單晶硅片？

檢測(cè)硅片尺寸檢測(cè)單晶硅片的破損程度，并進(jìn)行分級(jí)：破損小于30mm，能夠切成6英寸Wafer；破為兩片，無法使用；沒有破損；硅片尺寸156*156mm；檢測(cè)速度要求：1.5秒/片；

動(dòng)作流程：硅片運(yùn)動(dòng)到檢測(cè)位置后，相機(jī)快速拍照，然后進(jìn)行處理，在這個(gè)過程中設(shè)備不停；硅片運(yùn)動(dòng)速度：約150mm/s；

五、單晶硅片是什么？

硅的單晶體。具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到99.9999%，甚至達(dá)到99.9999999%以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成

六、單晶臟硅片清洗方法？

單晶硅片使用KOH和雙氧水均勻混合的溶液進(jìn)行清洗。用H2O2，應(yīng)該是在硅片上形成一層保護(hù)性薄膜。因?yàn)橹苯邮褂肒OH會(huì)造成腐蝕。

七、單晶硅片怎么判斷好壞？

一、單/多晶硅片性能對(duì)比

1、單晶硅片與多晶硅片在晶體品質(zhì)、電學(xué)性能、機(jī)械性能方面有顯著差異。

2、單晶和多晶的差別主要在于原材料的制備方面，單晶是直拉提升法，多晶是鑄錠方法，后端制造工藝只有一些細(xì)微差別。

二.單/多晶硅片晶體品質(zhì)差異

1、單晶硅片，是一種完整的晶格排列;單晶硅片的位錯(cuò)密度和金屬雜質(zhì)比多晶硅片小得多，各種因素綜合作用使得單晶的少子壽命比多晶高出數(shù)十倍，從而表現(xiàn)出轉(zhuǎn)換效率優(yōu)勢(shì)。

2、多晶硅片，它是多個(gè)微小的單晶的組合，中間有大量的晶界，包含了很多的缺陷，它實(shí)際上是一個(gè)少子復(fù)合中心，因此降低了多晶電池的轉(zhuǎn)換效率。

3、單晶是一種完整的晶格排列，在同樣的切片工藝條件下表面缺陷少于多晶；

4、在電池制造環(huán)節(jié)，單晶電池的碎片率也小于1%的，通常情況下是0.8%左右。而多晶的晶體結(jié)構(gòu)缺陷導(dǎo)致在電池制造環(huán)節(jié)的碎片率一般大于2%。

三、單/多晶硅片電學(xué)性能差異

單/多晶的少子壽命對(duì)比。各種實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，單晶的使用壽命明顯要高于多晶的使用壽命；

四、單/多晶硅片機(jī)械性能差異

1、多晶硅片的最大彎曲位移比單晶硅片低1/4，因此在電池的生產(chǎn)和運(yùn)輸過程中更容易破碎；

2、單晶在運(yùn)輸中的抗破壞性能比較好；

3、單/多晶在長(zhǎng)期的高低溫交替過程中，多晶更容易發(fā)生隱裂；

八、單晶摻鎵硅片是什么？

摻硼單晶硅片相比，摻鎵單晶硅片的應(yīng)用難點(diǎn)在電阻率方面，因?yàn)榕鸬姆帜禂?shù)為0.75，鎵的分凝系數(shù)為0.008，兩者相差了近兩個(gè)數(shù)量級(jí)。

通過創(chuàng)新鎵摻雜模型，改善鎵摻雜工藝，將鎵摻雜單晶的電阻率命中率提升至與摻硼單晶相近的水平，電阻率最終控制在0.3-1.5范圍內(nèi)，保證了電池端能夠?qū)崿F(xiàn)最大化的轉(zhuǎn)化效率。

九、單晶硅片類型及特性？

類型:P型硅片半導(dǎo)體，N型硅片半導(dǎo)體

特性:單晶硅片具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導(dǎo)電性，其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加；有顯著的半導(dǎo)電性。超純的單晶硅片是本征半導(dǎo)體。在超純單晶硅片中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導(dǎo)電的程度，而形成P型硅片半導(dǎo)體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導(dǎo)電程度，形成N型硅片半導(dǎo)體。

十、單晶硅片和電池區(qū)別？

一、形狀不同

1、單晶硅：?jiǎn)尉Ч璋舫蕡A柱狀，切片制作太陽(yáng)能電池也是圓片，組成太陽(yáng)能組件平面利用率低。

2、多晶硅：多晶硅是方形基片，通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料。

二、顏色不同

1、單晶硅：?jiǎn)尉Ч璧念伾珵楹谏?，相?duì)多晶硅和非晶硅太陽(yáng)電池，其光電轉(zhuǎn)換效率最高。

2、多晶硅：多晶硅的顏色為藍(lán)色，太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率則要降低不少，其光電轉(zhuǎn)換效率約17-18%左右。

三、大小不同

1、單晶硅：?jiǎn)尉Ч璧拇笮∫∮诙嗑Ч?，以純度高達(dá) 99.999%的單晶硅棒為原料，也增高了成本，難以大規(guī)模使用。

2、多晶硅：多晶硅可以制作的大于單晶硅，多晶硅片生產(chǎn)能耗低，生產(chǎn)過程無污染，與單晶硅太陽(yáng)電池相比，多晶硅太陽(yáng)電池更加經(jīng)濟(jì)。